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大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

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本发明公开了一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在SiO

著录项

公开/公告号CN101905857B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-25

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201010235859.2
发明设计人杨晋玲;刘云飞;解婧;杨富华;
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申请日2010-07-21
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:10:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-07-25

授权

授权
2011-01-19

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20100721

实质审查的生效
2010-12-08

公开

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1. 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 [P] . 中国专利： CN101905857B . 2012.07.25
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