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高临界温度超导厚膜磁通变换器

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摘要

本发明涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的高Tc超导厚膜磁通变换器，主要包括：衬底、高Tc超导厚膜螺旋线圈，厚膜回线和中间绝缘层，所用超导材料是y系或Bi系氧化物，衬底用ZrO，Al

1. 高临界温度超导厚膜磁通变换器 [P] . 中国专利： CN1028307C . 1995.04.26
2. 高临界温度超导厚膜磁通变换器 [P] . 中国专利： CN2068690U . 1991.01.02
3. SUPERCONDUCTOR COMPRISING SUPERCONDUCTING MATERIAL HAVING HIGH CRITICAL TEMPERATURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CURRENT LIMITING DEVICE INCLUDING THE SUPERCONDUCTOR [P] . 日本专利： JP4359387B2 . 2009-11-04

机译：包括具有高临界温度的超导材料的超导体，其制造方法以及包括超导体的电流限制装置
4. Superconductor with superconducting material having high critical temperature, method of manufacturing the same, and current limiting device with the superconductor [P] . 日本专利： JP2001527298A . 2001-12-25

机译：具有高临界温度的具有超导材料的超导体，其制造方法以及具有该超导体的限流装置
5. Method for producing long superconductor with bismuth phase at high critical temperature and superconductor produced by this method [P] . 日本专利： JP4299367B2 . 2009-07-22

机译：高临界温度下铋相长超导体的制备方法及用该方法制备的超导体