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基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法

摘要

一种基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法,包括校准数据量测,使用一维图形数据校准光学模型,判断图形为一维图形还是二维图形,若为一维图形,则使用一维图形数据校准一维光刻胶模型,若为二维图形,则使用二维图形数据校准二维光刻胶模型,判断采样点仿真误差是否在设定的范围内,模型验证和模型输出,本发明将一维图形和二维图形分开处理,根据实际的图形使用相应的有效扩散长度,降低了校准误差,提高了校准的精度。

著录项

  • 公开/公告号CN101349862B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN200810041891.X

  • 发明设计人 朱亮;

    申请日2008-08-19

  • 分类号G03F1/36(20120101);G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-09

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F 1/36 变更前: 变更后: 登记生效日:20140612 申请日:20080819

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2011-04-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/14 申请日:20080819

    实质审查的生效

  • 2009-01-21

    公开

    公开

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