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光激发半导体材料响应分析的方法和装置

摘要

本发明涉及用光激发半导体材料响应分析的方法和装置。根据本发明,激励激光束用两个分立调制频率(Ω

著录项

  • 公开/公告号CN1097728C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN96104150.1

  • 发明设计人 M·瓦格纳;H·-D·盖勒;

    申请日1996-03-29

  • 分类号G01N21/64;G01R31/265;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人董巍

  • 地址 德国韦茨拉尔

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-27

    专利权有效期届满 IPC(主分类):G01N 21/64 授权公告日:20030101 申请日:19960329

    专利权的终止

  • 2016-04-27

    专利权有效期届满 IPC(主分类):G01N 21/64 授权公告日:20030101 申请日:19960329

    专利权的终止

  • 2003-01-01

    授权

    授权

  • 2003-01-01

    授权

    授权

  • 1999-11-10

    著录项目变更 变更前: 变更后: 申请日:19960329

    著录项目变更

  • 1999-11-10

    著录项目变更 变更前: 变更后: 申请日:19960329

    著录项目变更

  • 1999-11-10

    著录项目变更 变更前: 变更后: 申请日:19960329

    著录项目变更

  • 1998-07-01

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-07-01

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1996-11-06

    公开

    公开

  • 1996-11-06

    公开

    公开

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