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一种等离子体处理系统及清洁等离子体处理系统的方法

摘要

一种等离子体处理系统及清洁等离子处理系统的方法,它们用来提供更清洁和更易控制的环境以便处理基片例如半导体晶片。该等离子体处理系统包括:一个处理室,该处理室包括一个内壁和一个外壁;与处理室内壁热耦合的加热元件;偏压屏蔽件;和静电屏蔽件。处理系统还包括围绕处理室的感应线圈,该感应线圈用于使射频电源与处理室内的气体耦合,以便产生等离子体。射频电源还可作用在晶片座上,例如也可加热或冷却的静电吸盘。清洁该等离子体处理系统的方法包括向偏压屏蔽施加偏压,利用加热元件加热处理室,以及清洁内表面,其中清洁顺序是从最大的表面开始依次清洁到尺寸最小的表面。

著录项

  • 公开/公告号CN1097491C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京电子株式会社;

    申请/专利号CN98811137.3

  • 发明设计人 韦恩·L·约翰松;

    申请日1998-11-13

  • 分类号B08B7/00;C23C16/00;

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人孙征

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-13

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2003-01-01

    授权

    授权

  • 2001-01-10

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2001-01-03

    公开

    公开

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