首页> 中国专利> 将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器

将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种将数据写入半导体存储器(11)中的方法，在所述半导体存储器(11)中非易失性存储器基元(MC)被串联连接，每一个所述非易失性存储器基元(MC)都具有连接到字线(WL)的栅极，所述方法包括以下步骤：根据数据将被写入其中的存储器基元(MC)的字线地址，为所述数据选择编码方法(S13)；对所述数据编码(S14)；以及根据所述字线地址将编码后的数据写入所述存储器基元(MC)中(S15)。使用所选择的编码方法对所述数据编码。

著录项

公开/公告号CN101611386B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社东芝;
展开▼

申请/专利号CN200880005146.8
发明设计人高田知二;
展开▼

申请日2008-02-13
分类号
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人杨晓光
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:10:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 12/16 授权公告日:20120704 终止日期:20170213 申请日:20080213

专利权的终止
2012-07-04

授权

授权
2012-07-04

授权

授权
2010-02-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-02-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-12-23

公开

公开
2009-12-23

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器 [P] . 中国专利： CN101611386B . 2012.07.04
2. 半导体存储器系统及在存储器控制器和半导体存储器之间传输数据的方法 [P] . 中国专利： CN1783331A . 2006-06-07
3. DATA READING METHOD AND DATA WRITING METHOD FOR EXTENDING AN OPERATING MARGIN IN A READING OPERATION IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING FERROELECTRIC MEMORY, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR CARRYING OUT DATA READING METHOD OR THE DATA WRITING METHOD [P] . 韩国专利： KR20040084696A . 2004-10-06

机译：用于在使用铁电存储器的半导体存储器中的读取操作中扩展操作余量的数据读取方法和数据写入方法，以及用于执行数据读取方法或数据写入方法的半导体存储器
4. Semiconductor memory device, has write data controller writing data received with address to memory cell, where controller stores data in data register, and address controller decoding and storing address in address register [P] . 德国专利： DE102006007174A1 . 2006-11-09

机译：半导体存储器件具有写数据控制器，将通过地址接收的数据写入到存储单元，其中控制器将数据存储在数据寄存器中，并且地址控制器解码并将地址存储在地址寄存器中
5. NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, READ-OUT METHOD OF DATA FROM THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN METHOD OF DATA FOR THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY [P] . 日本专利： JP2001236791A . 2001-08-31

机译：非易失性半导体存储器，从非易失性半导体存储器中读取数据的方法以及非易失性半导体存储器中数据的写入方法