机译:质子和中子引起的单事件扰动的定量比较(RAM设备)
机译:合并ENDF-V中子截面数据以计算中子诱发的单事件扰动
机译:Panda实验中FPGA的质子和中子诱导的单一事件Upsets
机译:与由宇宙射线中子和质子诱导的半导体存储器中的单一事件扰乱相关的核数据
机译:现代电子设备中质子和中子引起的单事件扰动的能量沉积机制。
机译:质子核相互作用的横截面数据的可靠性来预测在质子治疗质子诱导的pET图像
机译:由质子诱导的rams的单一事件upsets在4.2 gev和质子和中子低于100 mev的质子和中子
机译:用于256k静态Ram(随机存取存储器)的sEU(单事件翻转)测试技术以及重离子和质子引起的扰乱的比较