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机译:质子和中子引起的单事件扰动的定量比较(RAM设备)
机译:高级商业完全耗尽的SOI SRAM中的中子和质子诱导的单事件扰动
机译:使用单能中子源在静态RAM中由1-10 MeV中子引起的单事件扰动
机译:中子环境(RAM设备)中预测单事件扰动的准则
机译:与宇宙射线中子和质子引起的半导体存储器中单事件不安相关的核数据
机译:现代电子设备中质子和中子引起的单事件扰动的能量沉积机制。
机译:在现代双散射质子治疗束传输系统中通过束修饰装置产生中子
机译:由质子诱导的rams的单一事件upsets在4.2 gev和质子和中子低于100 mev的质子和中子
机译:用于256k静态Ram(随机存取存储器)的sEU(单事件翻转)测试技术以及重离子和质子引起的扰乱的比较