具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子注入工艺

摘要

在等离子体浸没离子注入工艺中，在不会因为增加处理层的厚度而损失晶片夹钳静电力的情况下，增加注入前腔室处理层的厚度，以允许在不用更换处理层的情况下进行一连串晶片的注入。可通过先以等离子体放电来除掉厚处理层的残留静电荷来实现上述动作。通过在每个晶片处理完之后，部分地补充所述处理层，并且接着可在处理下一个晶片之前进行所述补充处理层的简短等离子体放电，以进一步提高使用同一个处理层所能处理的晶片数量。