在图形化硅上制作碲化镉汞

摘要

本发明涉及在图形化的硅上制造碲化镉汞(CMT)，具体地涉及在承载集成电路的硅衬底上生长CMT。本发明的方法涉及首先通过MBE生长一个或多个缓冲层并随后通过MOVPE生长CMT，由此在硅衬底上的选定生长窗口内生长CMT。可以通过掩蔽生长窗口的外部区域而定义该生长窗口。该生长窗口内的生长是晶态的，而生长窗口外部的任何生长是多晶的并可通过刻蚀而清除。本发明提供了直接在集成电路上生长CMT结构的方法，消除了混合的需要。