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以中间相炭微球为炭源的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开一种以中间相炭微球为炭源的反应烧结碳化硅陶瓷制备方法,首次采用中间相炭微球为炭源和10~40wt.%碳化硅粉为原料,无需添加额外粘结剂,经过无水乙醇湿混、干燥后,在室温下50~100MPa模压成型,将成型后的生坯置于底部平铺硅颗粒的石墨坩埚内,在氮气氛下1200~1350℃高温焙烧0.5~1h,最后在真空条件下于1500~1700℃保温0.5~1h进行熔融硅浸渍、硅/炭反应,自然降温冷却即得到反应烧结碳化硅陶瓷。本发明制备的反应烧结碳化硅陶瓷具有密度相对较低,但强度高,残硅量小的特点,适合作为高温及腐蚀性气氛下的结构材料使用。碳化硅基体中的层片状碳有利于将该材料作为摩擦磨损材料使用。

著录项

  • 公开/公告号CN101747044B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN200910219518.3

  • 申请日2009-12-16

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/565 授权公告日:20120704 终止日期:20141216 申请日:20091216

    专利权的终止

  • 2012-07-04

    授权

    授权

  • 2010-08-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/565 申请日:20091216

    实质审查的生效

  • 2010-06-23

    公开

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