公开/公告号CN101851777B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 日月光半导体制造股份有限公司;
申请/专利号CN200910133259.2
申请日2009-04-01
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人陆勍
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
入库时间 2022-08-23 09:10:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-13
授权
授权
2010-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):C25F 7/00 申请日:20090401
实质审查的生效
2010-10-06
公开
公开
机译: 刻蚀纳米点的方法,从基板上去除纳米点的方法,制造集成电路器件的方法,刻蚀包含后过渡金属的层的方法以及从基板上移除包含后过渡金属的层的方法
机译: 刻蚀纳米点的方法,从基板上去除纳米点的方法,制造集成电路器件的方法,刻蚀包含后过渡金属的层的方法以及从基板上移除包含后过渡金属的层的方法
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