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半导体器件评估方法、半导体晶圆、半导体产品制造方法

摘要

一种半导体器件的耐热应力评估方法,包括:在以阵列配置排列在晶圆上的多个单位区域的每个区域的角部上形成测试电路;通过切割TEG芯片区域形成TEG芯片,其中通过以预定形状对所述单位区域的至少两个进行分组来确定所述TEG芯片区域;利用所述TEG芯片来组装封装的TEG芯片;以及通过利用所述TEG芯片上的所述测试电路,在所述封装的TEG芯片上进行温度循环测试。根据这种配置,通过调节所述预定形状,能够根据产品芯片尺寸的设计形成不同尺寸的封装的TEG芯片。

著录项

  • 公开/公告号CN101364554B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞萨电子株式会社;

    申请/专利号CN200810130240.8

  • 发明设计人 小槻一贵;

    申请日2008-06-16

  • 分类号

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人陆锦华

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20120620 终止日期:20130616 申请日:20080616

    专利权的终止

  • 2012-06-20

    授权

    授权

  • 2010-02-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-11

    公开

    公开

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