一种提高交换偏置薄膜磁性和热稳定性的方法

摘要

一种改善交换偏置薄膜性能的制备方法，属于磁性薄膜领域。其特征利用非磁性粒子（纳米氧化物或者金属）稀释AFM材料，调节界面未补偿磁矩的数量和状态，减小AFM材料的晶粒尺寸，提高目前现有交换偏置体系的性能。采用磁控溅射方法制备出具有准确成分的薄膜材料。薄膜结构为：缓冲层/FM/AFM掺杂稀释材料/保护层，溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，稀释材料占AFM的重量百分比为0.1-10%。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的磁性和热稳定性，以满足磁传感器的性能和产品需求。