隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器

摘要

一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或微晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。在第一与第二自由层之间设置有结晶抑制层，该结晶抑制层通过延续第二自由层的晶体结构来防止第一自由层结晶。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。