具有金属化源极、栅极与漏极接触区域的半导体芯片的封装

摘要

本发明涉及一种金属化半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法，其包含有步骤(a)植入镍至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域，并在完成步骤(a)之后，进行步骤(b)植入金至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域。另外，本发明也涉及一种半导体封装结构，其包含有数个内连接层板，设置于导线架的数条导线与数个金属化钝化区域之间。