法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-19
专利权的转移 IPC(主分类):G01N21/27 登记生效日:20200602 变更前: 变更后: 申请日:20080716
专利申请权、专利权的转移
2012-05-30
授权
授权
2012-05-30
授权
授权
2010-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/27 申请日:20080716
实质审查的生效
2010-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/27 申请日:20080716
实质审查的生效
2010-06-30
公开
公开
2010-06-30
公开
公开
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机译: 结构化的光电元件底部发射器,一种有机LED的制造方法,包括由电荷载流子注入层构成层,以及通过用电磁辐射照射层来形成辐射发射层
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像器系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路