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多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅还原炉启动方法,涉及多晶硅的氢气气氛下还原炉的启动方法,目的是解决现有多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法存在的操作过程复杂、不易控制或成本较高的问题,主要是将分别由多对硅芯构成的多组多晶硅排布成内外两个环形,其中内环接入一相电源,外环的一半接入另一相电源,通过这两相电源击穿此两组多晶硅,再以此击穿后的多晶硅烘烤外环另一半的多晶硅。

著录项

  • 公开/公告号CN101863475B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 峨嵋半导体材料研究所;

    申请/专利号CN201010232311.2

  • 申请日2010-07-21

  • 分类号

  • 代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人詹永斌

  • 地址 614200 四川省乐山市峨眉山市师符北路88号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/03 授权公告日:20120523 终止日期:20160721 申请日:20100721

    专利权的终止

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2010-12-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/03 申请日:20100721

    实质审查的生效

  • 2010-12-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/03 申请日:20100721

    实质审查的生效

  • 2010-10-20

    公开

    公开

  • 2010-10-20

    公开

    公开

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