法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/03 授权公告日:20120523 终止日期:20160721 申请日:20100721
专利权的终止
2012-05-23
授权
授权
2012-05-23
授权
授权
2010-12-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/03 申请日:20100721
实质审查的生效
2010-12-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/03 申请日:20100721
实质审查的生效
2010-10-20
公开
公开
2010-10-20
公开
公开
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机译: 通过在氧气氛下快速退火钨接触塞并在氢气氛下还原RTO塞来制造半导体器件的方法
机译: 通过在氧气气氛下快速对钨接触塞进行退火并在氢气气氛下减少RTO塞来制造半导体器件的方法
机译: 在组合物的镍基合金环境的辅助下进行裂纹脱敏的热处理,包括将合金保持在含有与中性气体混合的氢气或纯氢气的气氛中