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一种基于摩擦诱导构造单晶硅表面纳米凸起结构的加工方法

摘要

一种基于摩擦诱导构造单晶硅纳米凸起结构的加工方法,在扫描探针显微镜上采用尖端部为球冠状的金刚石针尖为加工工具,对单晶硅材料表面进行扫描;金刚石针尖上施加的载荷为单晶硅材料表面发生破坏的临界理论载荷的0.02-1倍,即可在单晶硅材料表面加工形成线状或面状及其他复杂形状的凸起结构。该方法在实施过程中不需要外加电场,不需要对材料表面进行任何化学处理,对环境无污染;只要通过针尖对材料表面施加一定载荷,就可以在表面加工出纳米级凸起结构;加工过程简单;加工重复性好;凸起结构的机械稳定性好。加工中使用大曲率半径的针尖,并且所用的载荷小,针尖的使用寿命长。

著录项

  • 公开/公告号CN101549853B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南交通大学;

    申请/专利号CN200910059272.8

  • 发明设计人 钱林茂;周仲荣;余丙军;余家欣;

    申请日2009-05-13

  • 分类号

  • 代理机构成都博通专利事务所;

  • 代理人陈树明

  • 地址 610031 四川省成都市二环路北一段111号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 授权公告日:20120509 终止日期:20180513 申请日:20090513

    专利权的终止

  • 2012-05-09

    授权

    授权

  • 2012-05-09

    授权

    授权

  • 2009-12-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-07

    公开

    公开

  • 2009-10-07

    公开

    公开

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