具有用于HCI编程的源电极偏压的非易失性存储器及其编程方法

摘要

存储器(10)的每个单元(60，62，64，66)可首先通过源极偏置进行编程，该源极偏置通常对于编程单元(60-66)有效。如果某个单元(60-66)在第一次尝试中没有成功编程，这通常是由于与没有成功编程的该单元(60-66)处于同一列(74，78)的许多单元(60-66)具有较低的门限电压，即使栅极接地，对这些存储器单元(60-66)偏置足够低的门限电压，以将其导通。绝大多数单元(60-66)不存在这种问题，但对于确实具有该低门限电压特性的一些存储器单元(60-66)是常见的。为了克服此问题，在后面的编程尝试期间施加不同的源极偏置。从而，绝大多数的单元(60-66)在较快编程条件下编程，并且仅有几个需要使用较慢方法的单元通过较慢的方法编程。