法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-01-25
授权
授权
2010-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/1362 申请日:20090908
实质审查的生效
2010-06-09
公开
公开
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件的制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件的制造方法,电子器件,电子器件的制造方法和薄膜沉积方法
机译: 液晶显示器件用铜构成的蚀刻剂组成及使用相同基质的阵列基板的制造方法