公开/公告号CN101750539B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 西安明泰半导体科技有限公司;
申请/专利号CN200910219513.0
发明设计人 李志强;
申请日2009-12-16
分类号G01R22/00(20060101);G01R31/26(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人罗笛
地址 710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E栋六层605
入库时间 2022-08-23 09:08:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 22/00 授权公告日:20120111 终止日期:20151216 申请日:20091216
专利权的终止
2014-10-22
专利实施许可合同备案的注销 IPC(主分类):G01R 22/00 合同备案号:2013320010019 让与人:西安明泰半导体科技有限公司 受让人:江苏好的节能光电科技有限公司 解除日:20140821 申请日:20091216
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2013-05-01
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G01R 22/00 合同备案号:2013320010019 让与人:西安明泰半导体科技有限公司 受让人:江苏好的节能光电科技有限公司 发明名称:功率MOSFET器件雪崩能量测试仪 申请公布日:20100623 授权公告日:20120111 许可种类:普通许可 备案日期:20130305 申请日:20091216
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2012-01-11
授权
授权
2011-09-28
专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R 22/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20110819 申请日:20091216
专利申请权、专利权的转移
2010-08-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 22/00 申请日:20091216
实质审查的生效
2010-06-23
公开
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