制造薄膜太阳能电池的硅基薄膜沉积方法

摘要

本发明提出了硅基薄膜沉积方法，用于制备高效率，大面积均匀分布的硅基薄膜太阳能电池。它可在不高于400℃的低温下在大面积的玻璃基片或不锈钢基片、高分子基片上均匀地沉积高质量和具有不同能隙宽度的硅基薄膜；这些薄膜包括n型、i型、p型非晶硅和微晶硅，n型、i型、p型非晶锗化硅和微晶锗化硅，n型、i型、p型非晶碳化硅和微晶碳化硅，以及富硅二氧化硅薄膜。这些薄膜采用感应耦合等离子增强化学气相沉积方法制备。