公开/公告号CN101919033B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
申请/专利号CN200880125156.5
申请日2008-12-30
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:08:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/56 授权公告日:20111123 终止日期:20181230 申请日:20081230
专利权的终止
2011-11-23
授权
授权
2011-11-23
授权
授权
2011-02-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/56 申请日:20081230
实质审查的生效
2011-02-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20081230
实质审查的生效
2010-12-15
公开
公开
2010-12-15
公开
公开
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机译: 用于制造包括至少一个微电子器件的微电子封装的方法
机译: 用于制造包括至少一个微电子器件的微电子封装的方法
机译: 熔炉系统包括:至少下辐射部分,该下辐射部分包括放置在内部的燃烧室。至少一个辐射上半部分在辐射下半部分的上方至少一个底部,至少一个更高的辐射半个部分C表示第二燃烧室。