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一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法

摘要

本发明属于半导体薄膜检测领域,特别涉及一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法。本发明从结果拟合角度对透射和反射光谱进行解谱分析,求出准确的吸收系数,在此基础上采用Tauc公式求出准确的光学带隙。本发明方法对现有技术所存在的问题进行了严格的计算分析和处理,可以消除光在膜基系统的反射对透射的影响和衬底的吸收对透射的影响这两个问题造成的误差,使光学带隙的准确程度大幅提高。

著录项

  • 公开/公告号CN101609002B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新奥光伏能源有限公司;

    申请/专利号CN200910089681.2

  • 发明设计人 张晓勇;郭铁;

    申请日2009-07-29

  • 分类号G01N21/25(20060101);G01N21/41(20060101);G01B11/06(20060101);

  • 代理机构11254 北京连城创新知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘伍堂

  • 地址 065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-21

    授权

    授权

  • 2010-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/25 申请日:20090729

    实质审查的生效

  • 2009-12-23

    公开

    公开

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