薄膜晶体管之化学气相沉积制作流程及其预沉积层构造

摘要

本发明系有关于一种薄膜电晶体制作流程及其预沉积层构造，尤指一种薄膜电晶体之化学气相沉积制作流程及其预沉积层构造；其主要系于将基板传送至机台之载入腔室，进行抽真空及加热之后，先对制程腔室承载台进行一预沉积之步骤，再进行后续的薄膜电晶体之化学气相沉积；预沉积层可包含有氮化硅与非晶硅之多层沉积，可有效防止腔室中清洗所残留之氟、氯及掺杂物等影响薄膜电晶体之电气特性者。