公开/公告号CN101510050B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200910080196.9
申请日2009-03-25
分类号G03F7/00(20060101);G03F7/16(20060101);G03F7/20(20060101);G03F7/26(20060101);
代理机构11302 北京市德权律师事务所;
代理人王建国
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2022-08-23 09:07:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-07
授权
授权
2009-10-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-08-19
公开
公开
机译: 一种制备部分单次电子束曝光掩模的方法和一种使用该部分单次电子束曝光掩模直接绘制图案的方法。
机译: 一种制备部分单次电子束曝光掩模的方法和一种使用部分单次电子束曝光掩模直接绘制图案的方法。
机译: 一种电子束曝光的方法及其所用的掩模和电子束曝光系统