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基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法

摘要

本文提供了一种制做在硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅组合件小片的方法。当一种热熔粘合剂被甩涂到硅基底上之后,片状的集成电路组合件硅片被切割,同时,由将集成电路硅小片整体地粘在导体村底上的方法,可制出集成电路硅组合件阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN1004843B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1989-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 通用电气公司;

    申请/专利号CN86100204

  • 发明设计人 加里·查尔斯·戴维斯;

    申请日1986-01-17

  • 分类号H01L21/58;H01L21/80;H01L21/96;

  • 代理机构中国专利代理有限公司;

  • 代理人刘元金

  • 地址 美国纽约州斯克内克塔迪

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1988-04-27

    实质审查请求

    实质审查请求

  • 1986-08-13

    公开

    公开

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