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离子注入系统中用于等离子体发生的薄磁控管结构

摘要

一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器被披露且置于可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统内。所述等离子体发生器包括可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统和可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统,其中所述磁场垂直于所述电场。所述等离子体发生器进一步包括可操作以将气体引入由所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源。所述区域中的电子分别由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动,且至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化,由此在所述区域中产生等离子体。

著录项

  • 公开/公告号CN1809910B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾克塞利斯技术公司;

    申请/专利号CN200480017294.3

  • 申请日2004-06-18

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人廖凌玲

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/317 授权公告日:20110727 终止日期:20160618 申请日:20040618

    专利权的终止

  • 2011-07-27

    授权

    授权

  • 2011-07-27

    授权

    授权

  • 2006-09-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-26

    公开

    公开

  • 2006-07-26

    公开

    公开

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