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公开/公告号CN101707089B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电工研究所;
申请/专利号CN200910241919.9
发明设计人 王雷;马衍伟;齐彦鹏;王栋樑;张志宇;高召顺;张现平;
申请日2009-12-15
分类号H01B13/00(20060101);H01B12/02(20060101);
代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人关玲
地址 100080 北京市海淀区中关村北二条6号
入库时间 2022-08-23 09:07:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-10
授权
2010-06-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20091215
实质审查的生效
2010-05-12
公开
机译: 一种改善铁基超导体的上临界场和临界电流密度的方法
机译: 在强磁场中提高冷弯铌钛合金超导体的临界场强和临界电流密度的方法。
机译: 用感应线圈估算氧化物超导体的临界电流密度和临界电流密度分布的方法。
机译:与其他技术超导体相比,铁基超导体的上临界场和临界电流密度
机译:静水压压力:一种非常有效的方法,可显着提高粒状铁导液超导体中的临界电流密度
机译:新型La1-xSmxO0.5F0.5BiS2(x = 0.2,0.8)超导体的上临界场,临界电流密度和活化能
机译:铁基超导体临界电流密度的评价
机译:了解为什么谷物边界限制了Fe基超导体的临界电流密度,并探讨了提高电流密度的方法
机译:静水压力:一种非常有效的方法可显着提高粒状铁离子超导体的临界电流密度
机译:静水压力:一种有效地提高粒状铁离子超导体临界电流密度的有效方法
机译:提高高温超导体临界电流密度(J(sub c))和临界温度(T(sub c))的研究