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一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法

摘要

一种提高A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是,在A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材的先驱粉中添加银粉或铅粉,混合均匀后,将先驱粉压制成块,或填入金属管拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛下,经500-1100℃焙烧0.5-100小时,可以得到A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材。本发明有效提高了铁基超导体的上临界场和临界电流密度。

著录项

  • 公开/公告号CN101707089B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN200910241919.9

  • 申请日2009-12-15

  • 分类号H01B13/00(20060101);H01B12/02(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-10

    授权

    授权

  • 2010-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20091215

    实质审查的生效

  • 2010-05-12

    公开

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