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公开/公告号CN102412017B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电工研究所;
申请/专利号CN201110318140.X
发明设计人 高召顺;马衍伟;王雷;姚超;齐彦鹏;王春雷;张现平;王栋樑;
申请日2011-10-19
分类号
代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人关玲
地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号
入库时间 2022-08-23 09:18:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-04
授权
2012-05-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20111019
实质审查的生效
2012-04-11
公开
机译: 一种改善铁基超导体的上临界场和临界电流密度的方法
机译: 在强磁场中提高冷弯铌钛合金超导体的临界场强和临界电流密度的方法。
机译: 用感应线圈估算氧化物超导体的临界电流密度和临界电流密度分布的方法。
机译:与其他技术超导体相比,铁基超导体的上临界场和临界电流密度
机译:静水压压力:一种非常有效的方法,可显着提高粒状铁导液超导体中的临界电流密度
机译:新型La1-xSmxO0.5F0.5BiS2(x = 0.2,0.8)超导体的上临界场,临界电流密度和活化能
机译:铁基超导体临界电流密度的评价
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机译:静水压力:一种非常有效的方法可显着提高粒状铁离子超导体的临界电流密度
机译:静水压力:一种有效地提高粒状铁离子超导体临界电流密度的有效方法
机译:提高高温超导体临界电流密度(J(sub c))和临界温度(T(sub c))的研究