具有加强编程和擦除功能的与非闪速存储器及其制造方法

摘要

与非闪速存储单元阵列和制造方法，具有显著减小的存储元尺寸和更大的存储元密度，它也具有用于编程和擦除操作的增强高电压耦合，这意味着所述高电压可以被降低并且在浮置栅下面的所述隧穿氧化物可以较厚。其中控制栅和浮置栅被叠层成对且在一个位线扩散区和一个公用源扩散区之间布置成排，同时在每个所述叠层栅对的两侧具有选择栅。所述每个叠层对中的栅为相互自对准的。