包括可变离子注入条件的半导体工艺评估方法

摘要

本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。