一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及制作方法

摘要

本发明是一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及其制作方法。针对通常采用共源-共栅结构作为增益单元的分布放大器，提出了包括栅传输线输入微带直线布局、漏传输线正反向终端微带阻抗调整、以及增益单元中电阻和若干微带线阻抗调整的方法，获得良好频域和时域响应；整合了砷化镓PHEMT放大器工艺与MSM光探测器工艺，采用反应离子刻蚀形成光探测器台面工艺、MSM光探测器叉指电极与PHEMT器件栅电极分先后制作工艺、以及三次氮化硅介质淀积形成MSM光探测器增透和钝化介质工艺。优点：分布放大器布局紧凑，其带宽优势得到充分发挥，综合性能良好；单片集成工艺合理，兼顾PHEMT放大器与MSM光探测器特点，流水效率高。