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CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法

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一种CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法，所述方法包括下列步骤中的至少一个步骤：在半导体衬底上形成包含多个彩色滤光片的彩色滤光片阵列。在彩色滤光片阵列上面和/或上方形成平坦层，以补偿彩色滤光片之间的高度差异。在平坦层上面和/或上方形成氧化硅层。在氧化硅层上面和/或上方形成对应彩色滤光片的多个光致抗蚀剂图案，其中光致抗蚀剂图案彼此分离。利用至少一种工艺气体(例如C

著录项

公开/公告号CN101118379B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-18

原文格式PDF
申请/专利权人东部高科股份有限公司;
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申请/专利号CN200710137152.6
发明设计人赵殷相;
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申请日2007-07-30
分类号
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人郑小军
地址韩国首尔
入库时间 2022-08-23 09:06:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-01

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/00 授权公告日:20110518 终止日期:20130730 申请日:20070730

专利权的终止
2011-05-18

授权

授权
2008-04-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-02-06

公开

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