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肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管等效电路模型,不仅包括肖特基二极管的单体部分模型,同时包括和肖特基二极管的单体部分串联的寄生电阻和寄生电感部分。在模型的二个端口部分,分别并联了寄生PN结结构以及寄生的硅衬底结构。该模型完整地包括了涉及肖特基二极管物理结构的各个部分对肖特基二极管直流及高频电学特性的影响,因此可直接用于肖特基二极管直流及高频的电路仿真,可方便地用来模拟肖特基二极管直流及高频的电学特性。本发明还提出了基于上述模型的测试流程和参数提取方法,可较大地提高肖特基二极管等效电路电学模型参数的提取效率和模型对器件电学特性的拟合效果。

著录项

  • 公开/公告号CN101441670B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN200710094241.7

  • 发明设计人 周天舒;

    申请日2007-11-19

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人周赤

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-15

    专利权的转移 IPC(主分类):G06F 17/50 变更前: 变更后: 登记生效日:20131219 申请日:20071119

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-05-04

    授权

    授权

  • 2009-07-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-27

    公开

    公开

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