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公开/公告号CN101004945B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200710002256.6
发明设计人 金秀焕;朴哲成;
申请日2007-01-17
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人林宇清
地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2022-08-23 09:06:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-27
授权
2009-02-25
实质审查的生效
2007-07-25
公开
机译: 用于使能读出放大器的电路和具有该电路的半导体存储器件
机译: 具有感测放大器的半导体存储器件以及用于使感测放大器过驱动的方法
机译:具有用于半导体放大器的最小化阻抗匹配电路的电子小天线
机译:具有低增益纹波和高耦合效率的1.55μm多量子阱半导体光放大器,用于光子电路集成
机译:使用77K差分单片HEMT放大器和4.2K JJ高压驱动器的超千兆赫瑟夫森半导体接口电路,用于超导体-半导体电子混合系统
机译:带有传感应用的半导体光放大器的光纤环形电路的非线性特性
机译:具有使能光学相互作用对细胞研究的MEMS共振块感应
机译:具有两个半导体光放大器的宽调谐范围波长扫描激光器
机译:使用体半导体光放大器中的信号感应非线性特性,具有更高消光比的全光与门
机译:纳米电子计划 - 具有用于多光谱外差检测器阵列的ID纳米级器件的GHz和THz放大器和振荡器电路