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高纯金属Mo粗粉与由其制得的烧结溅射靶以及高纯Mo粗粉的制造方法

摘要

高纯金属Mo粗粉与由其制得的烧结溅射靶提供一种供形成具有极少颗粒产生的高纯金属Mo薄膜的烧结溅射靶以及一种适用于作为原料粉制得这种靶的高纯金属Mo粗粉。通过烧结经由进行HIP处理的该高纯金属Mo粗粉,便得到该理论密度比率为98%或以上的烧结溅射靶,其中这种颗粒粉按质量有高达99.99%或以上的纯度和按Fischer法有5.5至7.5μm的平均颗粒直径。

著录项

  • 公开/公告号CN1607054B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日本新金属株式会社;

    申请/专利号CN200410078919.9

  • 发明设计人 茨木正之;岩本贤治;

    申请日2004-09-16

  • 分类号B22F3/14(20060101);C23C14/34(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人卢新华;王景朝

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-23

    授权

    授权

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-20

    公开

    公开

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