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真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法

摘要

本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法,采用含二氧化硅和三氧化二铝物料为原料,各种不同的碳为还原剂。在真空炉内碳热还原得到金属铝、硅和二氧化硅的混合物,将所生成的金属铝、硅和二氧化硅的混合物与造渣剂进行混合,加热到1500℃以上,二氧化硅造渣去除,并得到熔融态的富含硅的铝硅合金,然后经过定向冷凝,得到高纯硅和铝硅合金。获得的高纯硅纯度大于99.99wt%,铝硅合金中铝和硅的含量总和大于80wt%。工艺流程短、成本低、经济效益高。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/025 授权公告日:20110105 终止日期:20140105 申请日:20090105

    专利权的终止

  • 2011-01-05

    授权

    授权

  • 2009-08-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-24

    公开

    公开

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