用于窄间隙隔离区的自对准沟槽填充

摘要

使用自对准沟槽填充来隔离高密度集成电路中的装置。于装置之间的衬底中形成深、窄沟槽隔离区。所述沟槽区包含两个沟槽部分。用沉积电介质填充定位于第二沟槽部分上的第一沟槽部分。用生长电介质填充所述第二沟槽部分。通过生长介电材料来填充所述下部沟槽部分实现了介电材料在所述下部部分内的均匀分布。通过沉积介电材料来填充所述上部沟槽部分实现了材料在所述上部部分中的均匀分布，同时(例如)还防止所述电介质侵入装置沟道区中。可通过在蚀刻形成于所述装置的所述衬底上的一个或一个以上层之后或作为所述蚀刻的一部分蚀刻所述衬底以形成所述沟槽区来制造装置。这可确保在沟槽隔离区之间的装置的栅极与沟道区的对准。