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半导体器件、半导体模块和用于冷却半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件、半导体模块和用于冷却半导体器件的方法。具体地,本发明涉及带有具有用于改善冷却的延伸周缘的层的半导体器件和用于冷却半导体器件的方法。提供一种半导体器件,该半导体器件包括具有第一和第二相对的金属化主面的薄片和结合至薄片的第一金属化面上的晶体管。该晶体管包括第一表面,第一表面限定第一区域。该器件还包括结合至晶体管的第一表面上的第一金属层。第一金属层具有限定比晶体管的第一区域大的第二区域的第一表面。该器件还包括结合至第一金属层的第一表面上的陶瓷层。

著录项

  • 公开/公告号CN101345223B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 通用汽车环球科技运作公司;

    申请/专利号CN200810110071.1

  • 发明设计人 T·G·沃德;E·P·扬科斯基;

    申请日2008-05-30

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人曾祥夌

  • 地址 美国密执安州

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-11-03

    授权

    授权

  • 2009-03-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-14

    公开

    公开

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