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一种新型磁路结构考夫曼型离子源

摘要

一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管、阴极丝、加速栅和屏栅构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管固定在位于在离子源放电室底部的基底法兰上,阴极丝位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。本发明采用轴向磁化的环形磁铁,通过磁靴的引磁作用,在阳极管壁附近产生局部的多极磁场,有效防止了原初电子撞击阳极管而导致能量损失,其结构简单、易于装配、方便拆卸。

著录项

  • 公开/公告号CN101308754B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN200810122525.7

  • 申请日2008-05-30

  • 分类号

  • 代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人何梅生

  • 地址 230009 安徽省合肥市屯溪路193号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 27/02 授权公告日:20101208 终止日期:20150530 申请日:20080530

    专利权的终止

  • 2010-12-08

    授权

    授权

  • 2009-01-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-19

    公开

    公开

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