具有硅通孔的半导体芯片构造及其堆叠组合

摘要

本发明提供一种具有硅通孔的半导体芯片构造及其堆叠组合，两个或两个以上通孔垂直贯穿在半导体基板的上下表面的焊垫；两个或两个以上第一凸缘环突出地设置于这些位在该半导体基板上表面的焊垫上，以使其对应焊垫具有接触表面，其位于这些第一凸缘环与这些通孔之间；两个或两个以上第二凸缘环突出地设置于这些位在该半导体基板下表面的焊垫上，以使其对应焊垫具有接触表面，其围绕在这些第二凸缘环之外；第二凸缘环具有可嵌入于第一凸缘环的尺寸。利用凸缘环的上下嵌合，可实现芯片准确对位及避免位移，并可实现一种可先芯片堆叠再将填孔物质填入通孔的芯片堆叠工艺，填孔物质不会溢流而无邻接通孔电性短路的问题，符合硅通孔微间距的要求。