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纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪(SHEB)制备方法,包括以下步骤:(1)超薄超导薄膜准备;(2)电极制作;(3)广义微桥形成;(4)纳米尺寸桥区形成。其特征是:在(4)中,采用原子力显微镜纳米刻蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发明的优点是:采用原子力显微镜纳米刻蚀方法可以实现纳米尺寸的微桥。其桥区长度由AFM纳米刻蚀所形成的纳米线条的宽度所决定。而纳米线条的宽度由AFM针尖电压、周围环境的湿度、温度以及电场作用时间等参数所控制。该方法可以减小SHEB的有效尺寸,适用于各种不同纳米尺寸的SHEB制备。

著录项

  • 公开/公告号CN101476940B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200910045670.4

  • 发明设计人 尤立星;杨晓燕;

    申请日2009-01-21

  • 分类号G01J5/10(20060101);B82B3/00(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人潘振甦

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-11-24

    授权

    授权

  • 2009-09-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-08

    公开

    公开

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