公开/公告号CN1762097B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-10-13
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社NTT都科摩;
申请/专利号CN200480006927.0
申请日2004-03-15
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人黄小临
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:05:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-10-13
授权
授权
2006-06-07
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-04-19
公开
公开
机译: 包含内部阻抗匹配电路的高功率放大器的GaN半导体封装内部匹配电路的匹配方法及其调整方法
机译: 用于移动无线电通信终端的无线电发射机,具有阻抗匹配电路,该阻抗匹配电路向功率放大器提供阻抗值,其中,阻抗值根据各自的共轭匹配方法确定。
机译: 具有无源器件的多频带输出阻抗匹配电路,包括具有无源器件的多频带输入阻抗匹配电路的放大器以及包括具有无源器件的多频带输入/输出阻抗匹配电路的放大器