退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101328573B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社理光;
申请/专利号CN200810134035.9
发明设计人 林嘉隆;藤井俊茂;笹登;藤原将行;
申请日2005-08-30
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人宋莉
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:05:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-11-10
授权
2009-02-18
实质审查的生效
2008-12-24
公开
机译: 一次写入/多次读取光学记录介质的记录方法和一次写入/多次读取光学记录介质的记录方法
机译: 一种制造方法以及一次写入多次读取光学记录介质和溅射靶
机译: 溅射靶和一次写入多次读取光学记录介质
机译:细菌视紫红质膜中的偏振多路复用一次写入多次读取光学数据存储
机译:基于全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的一次写入多次读取电阻切换存储器
机译:氧化镍薄膜的厚度对相关溶液处理一次写入多次读取存储设备的厚度影响
机译:一次写入多次读取(WORM)记录介质中的热过程
机译:基于硅上氧化锌的一次写入多次读取(WORM)存储器
机译:一次写入多次读取记忆和忆阻器在聚(34-乙撑二氧噻吩)的混合物中并存:聚苯乙烯磺酸盐和聚乙烯醇
机译:一次写入光学记录介质的氮化铜和氮化锡薄膜
机译:金属 - 电介质 - 半导体 - 金属结构的电光学读取在气体激光信息写入/擦除模式中的作用。