避免气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺及浅沟底部表面的处理

摘要

本发明揭示一种避免产生气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺，是在蚀刻形成浅沟后，对浅沟底部表面进行含碳或氧的物质的移除，再继续完成此浅沟绝缘结构工艺。另外，亦可在浅沟的表面上形成氧化物衬垫层及氮化硅衬垫层之后，才进行浅沟底部表面的含碳或氧的物质的移除。本发明亦揭示一种浅沟底部表面处理的方法。经过对浅沟表面的处理，可避免因为氮化硅衬垫层的使用所导致的气泡缺陷。