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提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法

摘要

本发明涉及一种用于提高氧化物半导体材料气敏性能的新方法,其特征是采用贵金属量子点作为催化剂,对氧化物半导体材料进行表面修饰,从而达到提高气体传感器灵敏度和选择性的目的。本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测。目前半导体型气体传感器的检测下限为一般为几个ppm左右,很难检测到ppb量级,这样的敏感性能不适用于环境或工业安全等领域的监测。而采用本发明方法制作的气体传感器完全可以满足这方面的要求。

著录项

  • 公开/公告号CN101140254B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN200710047110.3

  • 发明设计人 张源;向群;徐甲强;许鹏程;

    申请日2007-10-16

  • 分类号G01N27/12(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人何文欣

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/12 授权公告日:20100811 终止日期:20161016 申请日:20071016

    专利权的终止

  • 2010-08-11

    授权

    授权

  • 2010-08-11

    授权

    授权

  • 2008-05-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-12

    公开

    公开

  • 2008-03-12

    公开

    公开

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