公开/公告号CN1540720B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200410036918.8
申请日2004-04-21
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人徐谦
地址 日本神奈川县厚木市
入库时间 2022-08-23 09:05:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-01
授权
授权
2006-05-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-10-27
公开
公开
机译: 利用射束位置监视器的射束照射装置和射束治疗系统基于射束位置提供反馈调节
机译: 线性驱动装置,可变快门装置,射束形成装置,射束照射装置,缺陷校正方法以及制造图案基质的方法
机译: 物品射束照射系统及照射装置的调整方法