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射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法

摘要

在由电反射镜及多面反射镜等扫描单元来扫描的激光的速度,扫描幅度的中心部与端部的速度不相同。其结果是,在被照射物(比如非晶质半导体膜)上会照射过多的能量,可能造成膜被剥离等。为此,本发明的特征在于:在由扫描单元等来使连续输出的能量射束在被照射物上的激光点往复运动来扫描的场合下,光点的扫描速度超出规定值(比如速度不稳定,增加、减少及成为零速)的场合(比如扫描方向改变的位置,或扫描开始位置及扫描结束位置)下的射束,照射到元件形成区之外。

著录项

  • 公开/公告号CN1540720B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN200410036918.8

  • 发明设计人 山崎舜平;田中幸一郎;宫入秀和;

    申请日2004-04-21

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人徐谦

  • 地址 日本神奈川县厚木市

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-01

    授权

    授权

  • 2006-05-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-10-27

    公开

    公开

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