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相变材料、含该材料的相变随机存取存储器及其操作方法

摘要

本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括:开关元件;以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括:第一电极;相变层;以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。

著录项

  • 公开/公告号CN1996608B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200610121663.4

  • 发明设计人 卢振瑞;金基俊;姜闰浩;

    申请日2006-08-28

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-25

    授权

    授权

  • 2009-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-11

    公开

    公开

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